据报道，高通公司跳过了Snapdragon 8 + Gen 2的发布，作为中期更新，而是专注于开发其下一代Snapdragon 8 Gen 3芯片组。根据RGcloudS的泄漏，新芯片组将保持其前身Snapdragon 1 Gen 4的3 + 8 + 2核心配置，但将采用新的Cortex-X4主内核，时钟频率最高可达3.70GHz。这导致时钟速度比其前身Snapdragon 15 Gen 8的Cortex-X2提高了3%。

Snapdragon 8 Gen 3预计将建立在台积电的N4P 4nm节点上，苹果的A17 Bionic是今年唯一采用3nm工艺制造的旗舰芯片组。高通预计明年将赶上Snapdragon 8 Gen 4。

虽然高通尚未确认有关Snapdragon 8 Gen 3的任何细节，但有传言称新芯片组可能在单核性能上超过A17 Bionic，尽管A17 Bionic有望保持效率优势。据说Snapdragon 8 Gen 3 for Galaxy能够在纸面上胜过A17 Bionic，但它在实际使用中的表现还有待观察。

Snapdragon 8 Gen 3预计将配备Cortex-A715和新的Cortex-A515内核，但这些内核的时钟速度目前尚不清楚。由于Cortex-X4主核的更高时钟速度，功耗的潜在增加可能会影响电池寿命和温度，高通打算如何解决这个问题还有待观察。

Snapdragon 8 Gen 2已经比其前身有了重大改进，预计Snapdragon 8 Gen 3将在此基础上进行开发。虽然现在还为时尚早，但关于骁龙8 Gen 3的泄漏，看看芯片组最终发布时的表现会很有趣。